IRF6619TR1PBF
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IRF6619TR1PBF |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $2.92 |
10+ | $2.618 |
100+ | $2.145 |
500+ | $1.826 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.45V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | DIRECTFET™ MX |
Serie | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2mOhm @ 30A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | DirectFET™ Isometric MX |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5040 pF @ 10 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57 nC @ 4.5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 30A (Ta), 150A (Tc) |
IRF6619TR1PBF Einzelheiten PDF [English] | IRF6619TR1PBF PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
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IRF6618 - DIRECTFET POWER MOSFET
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MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
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2024/06/6
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